RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около -152% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
3273
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link