RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
6.3
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3546
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link