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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
73
左右 -161% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
28
读取速度,GB/s
6.3
18.2
写入速度,GB/s
5.2
14.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3546
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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