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AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
73
Intorno -181% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.5
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
26
Velocità di lettura, GB/s
6.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3840
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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