RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3389
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link