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AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
73
Intorno -161% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
28
Velocità di lettura, GB/s
6.3
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2347
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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