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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
73
Intorno -103% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
36
Velocità di lettura, GB/s
6.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2490
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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