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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Confronto
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
28
Intorno -22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
12.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
23
Velocità di lettura, GB/s
12.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2014
3156
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
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