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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
28
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2014
3156
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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