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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
比较
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
总分
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.4
17.0
写入速度,GB/s
7.5
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2014
3156
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
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