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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
45
73
Intorno -62% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
45
Velocità di lettura, GB/s
6.3
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2414
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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