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AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
45
73
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
45
读取速度,GB/s
6.3
10.0
写入速度,GB/s
5.2
8.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2414
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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