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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
比较
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
总分
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
总分
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
65
左右 -141% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.1
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.0
4.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
27
读取速度,GB/s
6.1
11.1
写入速度,GB/s
4.2
6.0
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
985
1890
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
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