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AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
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Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
73
Intorno -204% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
24
Velocità di lettura, GB/s
6.3
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
2852
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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