RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
AMD R5316G1609U2K 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R5316G1609U2K 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R5316G1609U2K 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
73
Около -204% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
6.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
24
Скорость чтения, Гб/сек
6.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.2
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1309
2852
AMD R5316G1609U2K 8GB Сравнения RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link