RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Confronto
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Punteggio complessivo
AMD R5316G1609U2K 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5316G1609U2K 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
73
Intorno -306% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.4
6.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
18
Velocità di lettura, GB/s
6.3
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1309
3814
AMD R5316G1609U2K 8GB Confronto tra le RAM
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link