RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno 31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
39
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
10.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2513
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link