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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
27
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
20
Velocità di lettura, GB/s
14.7
19.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
3410
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
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