RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
42
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
42
Velocità di lettura, GB/s
14.7
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2525
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link