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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
31
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
9.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
31
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
no data
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
, 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
3043
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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