RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
40
Intorno 33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.8
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
40
Velocità di lettura, GB/s
14.7
13.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
10.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2495
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link