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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
27
Intorno -17% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
23
Velocità di lettura, GB/s
14.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2591
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
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