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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Punteggio complessivo
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Punteggio complessivo
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Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

AMD R534G1601U1S-UO 4GB Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 12
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 5.5
    Valore medio nei test
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 27
    Intorno -4% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 12800
    Intorno 1.5 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    27 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    14.7 left arrow 12.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.2 left arrow 5.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2272 left arrow 1925

AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM

AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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