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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
60
Intorno 55% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
60
Velocità di lettura, GB/s
14.7
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2511
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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