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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Confronto
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
14.7
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2272
2158
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Confronto tra le RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.C8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP564S64BP6-C4 512MB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
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