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AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Confronto
AMD R538G1601S2LS 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601S2LS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601S2LS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
41
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
11.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
28
41
Velocità di lettura, GB/s
11.3
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1793
2016
AMD R538G1601S2LS 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
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