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AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
比较
AMD R538G1601S2LS 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
28
41
读取速度,GB/s
11.3
13.3
写入速度,GB/s
8.2
9.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1793
2016
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-066.A00G 16GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
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