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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
29
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
29
Velocità di lettura, GB/s
18.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
3583
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
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