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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
29
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.3
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
29
读取速度,GB/s
18.4
18.4
写入速度,GB/s
12.3
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3583
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DX0-YK0 8GB
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