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AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
39
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
13
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
39
Velocità di lettura, GB/s
18.4
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3189
2808
AMD R538G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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