RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3140
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link