AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Punteggio complessivo
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AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    19 left arrow 23
    Intorno 17% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18.4 left arrow 18.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    15.1 left arrow 12.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 12800
    Intorno 1.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    19 left arrow 23
  • Velocità di lettura, GB/s
    18.4 left arrow 18.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.3 left arrow 15.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3189 left arrow 3498
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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