AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

AMD R538G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Pontuação geral
star star star star star
AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    19 left arrow 23
    Por volta de 17% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    18.4 left arrow 18.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    15.1 left arrow 12.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 12800
    Por volta de 1.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    19 left arrow 23
  • Velocidade de leitura, GB/s
    18.4 left arrow 18.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    12.3 left arrow 15.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3189 left arrow 3498
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações