RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
14.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2374
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link