RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Confronto
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
75
Intorno 44% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.4
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
13.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
75
Velocità di lettura, GB/s
13.2
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.4
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2326
1729
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link