RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
68
Intorno 62% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
14.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
68
Velocità di lettura, GB/s
14.2
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2007
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link