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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
38
Intorno 32% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
38
Velocità di lettura, GB/s
14.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.0
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2634
2283
AMD R538G1601U2S-UO 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
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