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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Confronto
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
35
Velocità di lettura, GB/s
15.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
2336
AMD R5S38G1601U2S 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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