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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
81
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
81
Velocità di lettura, GB/s
11.8
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
1651
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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