RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
81
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
81
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
1651
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link