RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
47
Velocità di lettura, GB/s
11.8
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
2308
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
INTENSO 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link