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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
47
读取速度,GB/s
11.8
10.0
写入速度,GB/s
9.2
7.5
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2308
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
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