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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3012
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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