RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
26
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
23
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3476
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link