RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3477
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link