RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.6
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3550
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link