RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.6
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3651
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link