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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
12.6
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3058
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
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