RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.6
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
3247
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link