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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Differenze
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Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2585
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
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